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半導體靶材清洗機

                                 



一、設備概述

本半導體靶材清洗機是專為半導體行業靶材類零部件表面處理設計的專用設備。其核心功能是通過多工藝協同的清洗流程,去除半導體靶材表面的油污、氧化膜、金屬顆粒、有機污染物等雜質,確保靶材表面達到半導體濺射工藝所需的超高潔凈度(顆粒度≤0.1μm)和低粗糙度要求,為后續的濺射鍍膜工序提供優質的靶材基材,保障鍍膜層的均勻性和性能穩定性。

設備采用全自動PLC控制系統,集成了預清洗、超聲清洗、化學清洗、純水漂洗、真空干燥等一體化流程,具有清洗效率高、潔凈度達標率高、靶材損傷率低、操作智能化、環保合規等特點。廣泛應用于半導體鋁靶、銅靶、鈦靶、鎢靶等各類金屬及合金靶材的表面預處理工序,是半導體芯片制造中濺射環節的關鍵配套設備之一。

二、主要技術參數

參數名稱

參數值

處理靶材尺寸范圍

直徑200mm - 800mm,厚度5mm - 50mm

單次處理數量

1 - 2件(根據靶材尺寸調整,帶獨立工裝固定)

清洗槽容積

100L - 500L(分槽設計)

超聲清洗頻率

28kHz - 130kHz(多頻可調,適配不同雜質去除)

清洗溫度控制范圍

25℃ - 70℃±0.5℃

漂洗方式

三級純水逆流漂洗 + 兆聲漂洗

干燥方式

氮氣吹掃 + 真空低溫干燥(40℃ - 60℃

純水電阻率要求

≥18.2MΩ·cm25℃

設備總功率

20kW - 45kW

壓縮空氣/氮氣要求

0.6MPa - 0.9MPaClass 1級潔凈度

三、設備結構組成

3.1 多工藝清洗系統

多工藝清洗系統由預清洗槽、超聲清洗槽、化學清洗槽及輔助藥液系統組成。預清洗槽采用高壓噴淋方式,初步去除靶材表面大顆粒雜質;超聲清洗槽配備多頻超聲發生器和振板,通過不同頻率的超聲波協同作用,高效剝離微小顆粒和附著污染物;化學清洗槽采用耐腐材料(如PVDF)制作,配備藥液循環過濾裝置,精準控制藥液濃度和溫度,實現氧化膜及有機污染物的定向去除;輔助藥液系統包括藥液配比、輸送及回收單元,確保藥液使用的精準性和環保性。

3.2 漂洗系統

漂洗系統包括三級逆流漂洗槽、兆聲漂洗槽、純水制備及循環裝置。三級逆流漂洗槽采用階梯式水位設計,上一級漂洗廢水作為下一級漂洗用水,大幅提升水資源利用率;兆聲漂洗槽利用高頻兆聲波(1MHz以上),強化去除靶材表面亞微米級殘留雜質;純水制備裝置集成反滲透、EDI等工藝,持續供應高純度純水,漂洗后的純水經循環過濾后可部分回用。

3.3 干燥系統

干燥系統由氮氣吹掃裝置、真空干燥槽及溫度控制系統組成。氮氣吹掃裝置采用環形噴嘴設計,可360°無死角吹掃靶材表面水分,氮氣純度≥99.999%;真空干燥槽可實現0.001MPa - 0.01MPa的真空度,配合40℃ - 60℃的低溫加熱,在避免靶材氧化的同時快速去除殘留水分;溫度控制系統采用PID調節,確保干燥過程溫度穩定。

3.4 控制系統

控制系統采用PLC(可編程邏輯控制器)+ 工業觸摸屏的控制架構,支持中英文操作界面。可實現全工序的自動運行,也可進行單步手動調試;觸摸屏實時顯示各槽體溫度、液位、超聲功率、真空度等關鍵參數,具備參數存儲、工藝調用、故障報警(聲光報警+屏幕提示)、歷史數據追溯(≥1年)等功能,滿足半導體行業的可追溯性要求。

3.5 安全與環保系統

安全與環保系統包括藥液泄漏檢測、超溫超壓保護、急停聯鎖、廢氣處理及廢液回收裝置。藥液泄漏檢測裝置采用高精度傳感器,泄漏時立即切斷藥液供應并報警;超溫超壓保護覆蓋各槽體和壓力單元,確保設備運行安全;急停按鈕分布于設備操作面和維護面,實現緊急停機;廢氣處理裝置通過活性炭吸附+酸霧中和,達標排放;廢液回收裝置對化學清洗廢液和漂洗廢水進行分類收集,便于后續處理。


本設備可根據不同的產品規格、產能設計開發、生產制造。

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